台积电正稳步迈向2nm工艺制程的新纪元美国十次啦宜春院，预测来岁将迎来这一时期落魄。公司高层近期已揭开2nm芯片的玄机面纱，披露将领受GAAFET晶体管时期，透顶告别FFET期间，终了晶体管密度15%的显赫升迁。

这一时期飞跃意味着，在疏导功耗条款下，2nm芯片的性能将跃升15%；反之，若性能保执不变，功耗则能缩短25%至35%。如斯幅度的升迁，在芯片制造限度号称精深，尤其是在先进制程贬抑鼓舞、性能升迁与功耗缩短日益贫穷的配景下，这一确立尤为显赫。

然则，台积电董事长魏家哲强调，关于2nm芯片而言，工艺只是是基础，封装时期相同至关勤恳。他评释说念，跟着制程干预2nm期间，封装时期成为升迁芯片性能、缩短功耗的要津。先进芯片更多地领受堆叠、立体封装及小芯粒等时期，将多个要津芯片整合在沿途，而非分差异局。

以台积电的CoWos封装时期为例，该时期诳骗硅衬底看成中介层，将科罚器、内存等功能模块集成于单一封装体内，终了高密度的系统集成，是刻下AI芯片限度的中枢时期之一。英伟达的高端AI芯片便凡俗领受此时期。

跟着芯片工艺的贬抑演进，异日芯片将愈加倾向于整合而非差异，因此先进封装时期的勤恳性日益突显。在此配景下，有东说念主建议疑问：中国在芯片制造限度约略尚存短板，但在封装限度却颇具实力，这是否意味着中国迎来了新的机遇？

数据骄气，天下前十大封测企业中，中国有四家企业上榜，阛阓份额高达25%傍边，占据天下四分之一的份额。然则，值得注重的是，中国封装企业虽在阛阓份额上占据一隅之地，但主要相接在相对锻真金不怕火的封装时期上，关于CoWos等先进封装时期，仍存在一定差距。

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